Pii carbide Text Duplex Superficies molendum Machina Solutio

Apparatus Model: YHDM580B Duplex Orbis Grinder- Cycle Molendindum Methodo

Workpiece: Silicon Carbide Plate (SiC)

Necessitas: 7.150± 0.002mm，Flatness/Parallelism＜0.01mm，Roughness Ra＜0.9

Silicon Carbide (SiC) est materia inorganica habens proprietates mechanicas, scelerisque, electricas et chemicas, ob quas late in effectis industriis adhibetur. Attamen, commodis proprietatibus SiC ceramicae ut durities, altae vires, resistentiam gerunt, nimiam fragilitatem et stabilitatem chemicam faciunt SiC machinam difficilem et pretiosam per modos conventionales et non-conventionales machinis. Adamas stridor rotam altam MRR producit nec morphologiam superficiem afficit et perficit. Per stridor operis ofSiC materiales prop- tates rotae et operis magni momenti sunt ad praedicendum asperitatem superficiei. In computatorio numerali potestate stridor machinae adhibitis instrumentis metallicis adamantis instrumenti damnum inductum creaverunt. Micro-structuralis heterogenia significanter auget artem et stridorem rates SiC. Augmentum in fracturae dynamicae durities consecuta est in alta MRR de SiC cum melioris perfectionis superficies consecuta est in magna celeritate stridoris processus. In stridendo modos applicando rotae laesurae religata humili superficies asperitatis et figurae altae accurate factae in speculis SiC. Compositum operis magni velocitatis et velocitatis rotae molentis elevatae reduci potest phase transmutatio observata in processu molentis cylindrici summa celeritate.